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詳細(xì)內(nèi)容：

儀器功能：用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)

技術(shù)參數(shù)

測(cè)量范圍電阻率：10-4～105 ΩNaN(可擴(kuò)展)

電導(dǎo)率：10-5～104 s/cm；

電阻：10-4～105 Ω；

可測(cè)晶片直徑 140mmX150mm;200mmX200mm;400mmX500mm;

分辨力：10μV；

輸入阻抗：>1000MΩ；

精度：±0.1% ；

四探針探頭基本指標(biāo) 間距：1±0.01mm；

針間絕緣電阻：≥1000MΩ；

機(jī)械游移率：≤0.3%；

探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見(jiàn)探頭附帶的合格證)

整機(jī)測(cè)量最大相對(duì)誤差 (用硅標(biāo)樣片：0.01-180ΩNaN測(cè)試)≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%

相對(duì)濕度：≤65%；

無(wú)高頻干擾；無(wú)強(qiáng)光直射；