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型號(hào)：Fei Helios Nanolab G3 UC

主要參數(shù)：離子束分辨小于3nm@30KV

電子束分辨率: workspace<1nm@15KV ,

樣品XY方向移動(dòng)范圍不低于100mm，Z方向不低于50mm,可繞Z軸旋轉(zhuǎn)

任意角度傾斜角T范圍不小于-4到70度,換樣時(shí)間低于3.5分鐘。

用途及功能:

掃描電鏡主要用于觀察、分析、記錄樣品的微觀形貌，聚焦離子束用于樣品微

納米尺度下的切割、刻蝕，能譜儀主要用于樣品元素分析。

TEM透射樣品制備：對(duì)于表面薄膜、涂層、粉末大顆粒，原位TEM芯片加工，晶界界面以及相界面等精準(zhǔn)定位與加工TEM制樣；

SEM/EDS剖面分析：可進(jìn)行二次電子形貌分析且圖像分辨率高、背散射電子襯度分析、EDS能譜分析；

EBSD電子背散射衍射分析：可進(jìn)行晶體取向成像、顯微織構(gòu)、界面等分析，分析速度快，標(biāo)定準(zhǔn)確度高；

微納結(jié)構(gòu)加工：在微納結(jié)構(gòu)操作機(jī)械手、Omniprobe操作探針、離子束切割等的配合下，可以進(jìn)行各種微納結(jié)構(gòu)的搬運(yùn)、各種顯微結(jié)構(gòu)形狀或圖案的加工；