清華大學無錫應用技術研究院集成電路創(chuàng)新服務平臺
極限真空：極限真空度：≤3×10-5 Pa；系統(tǒng)從大氣（暴露大氣時充干燥氮氣）開始抽氣，20 分鐘可達到真空度 3×10-4 Pa；基片自轉(zhuǎn)速率： 5-20rmp；基片加熱最高溫度 800±1℃（實用溫度 400℃）；基片與蒸發(fā)源之間距離 300-350mm 可調(diào)；
電子槍參數(shù)：電源最大功率 10kW；6 個水冷坩堝，每個容積為 40cc；
石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀：實現(xiàn)電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)速率閉環(huán)控制；
蒸發(fā)源材料種類：Ti、Cr、Ni、Al、Ag、Cu、Au
樣品要求：最大 4 英寸襯底 1 片并向下兼容；加熱超過 80℃時，禁用
光刻膠作為掩摸。
X射線衍射分析儀
電感耦合等離子體質(zhì)譜儀
流變儀
