有声读物,盗墓笔记全集

ELS-F125電子束曝光

世界上第一個125kv光刻系統(tǒng)具有大的場寫入均勻性和精細(xì)的圖案寫入能力，例如5nm或更小的線寬，這充分利用了我們多年來在開發(fā)光刻系統(tǒng)方面積累的豐富經(jīng)驗。

發(fā)射器氧化鋯/鎢熱場發(fā)射器

加速電壓 125kv、75kv、25kv

最小束斑尺寸 φ1.7nm(@125kv)

最小線寬 5nm或更小(@125kv)

射束電流 5 pA to 100 nA

寫場范圍 Max3000umX3000um, Min100umX100um

波束定位 Max1000000 x 1000000(20bit DAC)

波束定位分辨率 Min0.1nm

最大樣本大小 8" wafer or 8" square mask