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微納加工

HQ-8B

 

反應(yīng)室真空5×10－4Pa。

 

極限真空：5E-6 Torr。

 

載片臺可加溫100～450度。

 

沉積材料：SiO2、Si3N4、GeO2 可進行氘離子摻雜。

 

工藝溫度：最高400℃。

 

樣品尺寸：4英寸向下兼容。

 

淀積不均勻性：≤±5％。

 

等離子增強化學氣相淀積設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的專用設(shè)備。


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